Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 54.2927 RON
Availability: OutOfStock

Produs nou

Canal-N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOG-4-1

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPM018N10NM5LF2AUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Descriere	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOG-4-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 178 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 14000 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,8W (Ta), 349W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V, 15V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOG-4-1
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,7mOhm la 100A, 15V	Pachet/cutie 4-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,45V la 240µA