Name: ISC035N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 27.225 RON
Availability: OutOfStock

Canal-N 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8 FL

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

ISC035N10NM5LF2ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISC035N10NM5LF2ATMA1
Descriere	ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8 FL
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 88 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 7200 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 217W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 19A (Ta), 164A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8 FL
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3,5mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,9V la 115µA