Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 14.5079 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Descriere	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8 FL
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	10A (Ta), 63A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	11,3mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,9V la 36µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2300 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSDSON-8 FL
Pachet/cutie	8-PowerTDFN