Tranzistoare bipolare individuale

Tranzistoarele bipolare de putere (BJT) discrete sunt utilizate în mod obișnuit pentru a construi funcții de amplificare a semnalelor analogice în aplicațiile audio, radio și în alte aplicații. Fiind unul dintre primele dispozitive semiconductoare produse în masă, caracteristicile lor sunt mai puțin favorabile decât cele ale altor tipuri de dispozitive pentru aplicațiile care implică comutarea la frecvențe înalte și funcționarea cu curenți sau tensiuni mari, dar rămân o tehnologie preferată pentru aplicațiile care necesită reproducerea semnalelor analogice cu un nivel minim de zgomot și distorsiune. BJT-urile sunt disponibile în două versiuni – NPN și PNP – care se referă la succesiunea de straturi semiconductoare ce alcătuiesc tranzistorul. Tranzistoarele NPN constau dintr-un semiconductor subțire de tip P între două materiale de tip N, în timp ce tranzistoarele PNP au un semiconductor de tip N între două de tip P. Acest lucru formează cele două tipuri de funcționare cu polaritate opusă. Tranzistoarele NPN absorb curentul, în timp ce tranzistoarele PNP sunt sursă de curent.