Name: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 34.6665 RON
Availability: InStock

Canal-N 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-1

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPT017N10NM5LF2ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Descriere	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Termen de livrare standard al producătorului	29 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPT017N10NM5LF2ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 206 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 17000 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 32A (Ta), 321A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V, 15V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8-1
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,6mOhm la 150A, 15V	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,9V la 280µA