Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 23.2925 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPT017N10NF2SATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPT017N10NF2SATMA1
Descriere	MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-10
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPT017N10NF2SATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 195 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie StrongIRFET™ 2	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 9300 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 33A (Ta), 294A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8-10
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,75mOhm la 150A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,8V la 216µA	Număr produs de bază IPT017