FET-uri, MOSFET-uri individuale

Rezultate : 41.485
Producător
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSSC2M™
Ambalaj
Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și cutie (TB)Bandă și mosor (TR)BandăCutieDigi-Reel®PungăTavăTubVrac
Stare produs
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiUltima ocazie de cumpărare
Tip FET
Canal PCanal-N
Tehnologie
GaNFET (Cascode FET nitrură de galiu)GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)SiC (tranzistor racord silicon carbid)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
-60 V-40 V-30 V-20 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,29mOhm la 50A, 10V0,3mOhm la 200A, 10V0,35mOhm la 50A, 10V0,4mOhm la 150A, 10V0,4mOhm la 30A, 10V0,4mOhm la 50A, 10V0,42mOhm la 50A, 10V0,44mOhm la 88A, 10V0,45mOhm la 30A, 10V0,45mOhm la 30A, 7V0,45mOhm la 50A, 10V0,45mOhm la 60A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id
-2,5V la 250µA-2,0V la 250µA-1,2V la -250µA-1V la -250µA400mV la 1mA (min.)400mV la 250µA (min.)450mV la 100µA (min.)450mV la 1mA (min.)450mV la 250µA (min.)450mV la 2mA (min.)500mV la 250µA (min.)570mV la 1mA (tipic)
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Detectare curentDiode detectare temperaturăDiodă Schottky (corp)Diodă Schottky (izolată)Mod epuizare
Disipare putere (Max)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C
Grad
AutomobileDe grad militar
Calificare
AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603
Tip montare
Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Pachet/cutie
Plăcuță expusă 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Derivații plate3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-PowerXFDFN3-SIP3-SMD, Derivație plată3-SMD, Derivații plate3-SMD, Fără derivație
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
PRODUS MARKETPLACE
41.485Rezultate

Se afișează
din 41.485
Comparare
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Vgs (Max)
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet dispozitiv furnizor
Pachet/cutie
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
11.536
În stoc
1 : 0,74000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,12989 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
39.029
În stoc
1 : 0,79000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,14004 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
511.035
În stoc
1 : 0,88000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15393 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
443.260
În stoc
1 : 0,93000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15756 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm la 50mA, 5V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
58.730
În stoc
1 : 0,98000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,16399 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm la 220mA, 10V
1,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
123.347
În stoc
1 : 1,02000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,16918 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,3V la 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
95.587
În stoc
7.095.000
Fabrică
1 : 1,02000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,16918 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.459.105
În stoc
1 : 1,07000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17645 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm la 100mA, 2,5V
1V la 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
673.498
În stoc
1 : 1,07000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17749 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal P
MOSFET (oxid metalic)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
481.815
În stoc
1 : 1,07000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,18371 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm la 240mA, 10V
2,5V la 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
300mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
90.919
În stoc
1 : 1,07000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,13944 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.195.342
În stoc
1 : 1,12000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,14691 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
477.927
În stoc
1 : 1,12000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,18578 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm la 250mA, 10V
1,5V la 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
468.480
În stoc
1 : 1,12000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19087 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
442.197
În stoc
1 : 1,12000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19098 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal P
MOSFET (oxid metalic)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm la 100mA, 5V
2V la 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
25.613
În stoc
1 : 1,12000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,18578 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm la 240mA, 10V
2,6V la 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4.905.575
În stoc
1 : 1,16000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,21082 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm la 800mA, 4,5V
1V la 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SSM
SC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
834.276
În stoc
1 : 1,16000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19502 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 300mA, 10V
1,5V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
790.654
În stoc
1 : 1,16000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19721 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
769.227
În stoc
1 : 1,16000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,34875 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
6,5A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mOhm la 6,5A, 4,5V
1V la 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
1,4W (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
3-SMD, Variantă SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
344.020
În stoc
84.000
Fabrică
1 : 1,21000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,34277 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
4,2A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mOhm la 3,6A, 4,5V
1V la 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
800mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40.698
În stoc
1 : 1,21000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,15409 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm la 200mA, 10V
2,1V la 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
825.892
În stoc
1 : 1,26000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,21060 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,1V la 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
723.805
În stoc
Acest produs are o limită maximă de achiziție
1 : 1,26000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
8.000 : 0,19628 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
100mA (Ta)
1,2V, 4,5V
3,5Ohm la 100mA, 4,5V
1V la 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
VMT3
SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
197.158
În stoc
1 : 1,26000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,20759 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm la 170mA, 10V
2V la 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Se afișează
din 41.485

FET-uri, MOSFET-uri individuale


Tranzistoarele discrete cu efect de câmp (FET) sunt utilizate pe scară largă în conversia de putere, controlul motoarelor, iluminatul în stare solidă și în alte aplicații în care este avantajoasă capacitatea lor caracteristică de a fi pornite și oprite la frecvențe înalte, transportând în același timp cantități substanțiale de curent. Acestea sunt utilizate aproape universal pentru aplicații care necesită tensiuni nominale de câteva sute de volți sau mai puțin, peste care alte tipuri de dispozitive, cum ar fi IGBT-urile, devin mai competitive.