FET-uri, MOSFET-uri individuale

Rezultate : 41.653
Producător
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEVVO
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Ambalaj
Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și cutie (TB)Bandă și mosor (TR)BandăCutieDigi-Reel®PungăTavăTubVrac
Stare produs
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiUltima ocazie de cumpărare
Tip FET
–Canal PCanal-N
Tehnologie
–GaNFET (Cascode FET nitrură de galiu)GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)SiC (tranzistor racord silicon carbid)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,29mOhm la 50A, 10V0,3mOhm la 200A, 10V0,35mOhm la 50A, 10V0.36mOhm @ 100A, 10V0,39mOhm la 100A, 10V0,4mOhm la 150A, 10V0,4mOhm la 30A, 10V0,4mOhm la 50A, 10V0,42mOhm la 50A, 10V0,44mOhm la 88A, 10V0,45mOhm la 30A, 10V0,45mOhm la 30A, 7V
Vgs(th) (Max) la Id
400mV la 1mA (min.)400mV la 250µA400mV la 250µA (min.)450mV la 100µA (min.)450mV la 1mA (min.)450mV la 250µA (min.)450mV la 2mA (min.)500mV la 250µA (min.)570mV la 1mA (tipic)600mV la 1,2mA (min.)600mV la 1mA (min.)600mV la 1mA (tipic)
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
Caracteristică FET
–Detectare curentDiodă Schottky (corp)Diodă Schottky (izolată)Diode detectare temperaturăMod epuizare
Disipare putere (Max)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–AutomobileDe grad militar
Calificare
–AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tip montare
–Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Pachet/cutie
Plăcuță expusă 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Derivații plate3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Derivații plate3-SMD, Fără derivație3-SMD, Non-standard3-SMD, Variantă SOT-23-3
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
PRODUS MARKETPLACE
41.653Rezultate
Se afișează
din 41.653
Comparare
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Vgs (Max)
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet dispozitiv furnizor
Pachet/cutie
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.506
În stoc
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,12276 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
–
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
72.608
În stoc
1 : 0,77000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,13553 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
–
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
493.957
În stoc
1 : 0,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,14454 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
–
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
428.368
În stoc
1 : 0,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,14795 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm la 50mA, 5V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
–
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
38.546
În stoc
1 : 0,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17211 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,3V la 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
–
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.261.493
În stoc
1 : 0,90000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15329 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm la 100mA, 2,5V
1V la 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
–
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
255.276
În stoc
1 : 0,90000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15399 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm la 220mA, 10V
1,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
–
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
239.155
În stoc
1 : 0,90000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,18345 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm la 240mA, 10V
2,5V la 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
–
300mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
421.289
În stoc
59.469.000
Fabrică
1 : 0,95000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15887 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
–
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
39.940
În stoc
1 : 0,95000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,15360 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
–
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
642.621
În stoc
1 : 0,99000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15674 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal P
MOSFET (oxid metalic)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
–
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
572.469
În stoc
1 : 0,99000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,21126 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
30 V
1,4A (Ta)
4,5V, 10V
160mOhm la 1,4A, 10V
2V la 3,7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
–
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
548.550
În stoc
1 : 0,99000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19976 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
–
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
516.482
În stoc
1 : 0,99000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,20328 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
–
225mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4.624.382
În stoc
1 : 1,04000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,21647 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm la 800mA, 4,5V
1V la 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
–
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
400.246
În stoc
1.116.000
Fabrică
1 : 1,04000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17445 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm la 250mA, 10V
1,5V la 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
–
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
198.274
În stoc
1 : 1,04000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,21419 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
–
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
57.874
În stoc
1 : 1,04000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
8.000 : 0,17962 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm la 10mA, 4V
1,5V la 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
–
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
VESM
SOT-723
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.264.675
În stoc
1 : 1,08000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,10350 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
–
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
824.787
În stoc
1 : 1,08000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,18314 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 300mA, 10V
1,5V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
–
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
426.755
În stoc
33.495.000
Fabrică
1 : 1,08000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17933 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal P
MOSFET (oxid metalic)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm la 100mA, 5V
2V la 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
–
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
416.471
În stoc
1 : 1,08000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17924 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
–
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40.181
În stoc
1 : 1,08000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,13787 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm la 200mA, 10V
2,1V la 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
–
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-883
SC-101, SOT-883
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
739.090
În stoc
1 : 1,13000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
8.000 : 0,20813 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
1V la 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
–
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
VMT3
SOT-723
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
415.966
În stoc
1 : 1,13000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,33750 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
1,05A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mOhm la 600mA, 4,5V
570mV la 1mA (tipic)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
–
417mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Se afișează
din 41.653

FET-uri, MOSFET-uri individuale

Tranzistoarele discrete cu efect de câmp (FET) sunt utilizate pe scară largă în conversia de putere, controlul motoarelor, iluminatul în stare solidă și în alte aplicații în care este avantajoasă capacitatea lor caracteristică de a fi pornite și oprite la frecvențe înalte, transportând în același timp cantități substanțiale de curent. Acestea sunt utilizate aproape universal pentru aplicații care necesită tensiuni nominale de câteva sute de volți sau mai puțin, peste care alte tipuri de dispozitive, cum ar fi IGBT-urile, devin mai competitive.