Name: IAUMN10S5N016GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N016GAUMA1TR-ND
Price: 30.492 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUMN10S5N016GAUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUMN10S5N016GAUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUMN10S5N016GAUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUMN10S5N016GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUMN10S5N016GAUMA1
Descriere	MOSFET_(75V 120V(
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 220A (Tj) 325W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOG-4-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUMN10S5N016GAUMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	220A (Tj)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,6mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,8V la 230µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	13570 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	325W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOG-4-1
Pachet/cutie	4-PowerSFN