Name: IAUCN10S7N021ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND
Price: 25.9666 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUCN10S7N021ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUCN10S7N021ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUCN10S7N021ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUCN10S7N021ATMA1
Descriere	MOSFET_(75V 120V(
Termen de livrare standard al producătorului	35 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 175A (Tj) 217W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-53
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUCN10S7N021ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 105 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 7153 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 217W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 175A (Tj)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 7V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8-53
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,1mOhm la 88A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,2V la 130µA

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 851

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®