Name: TK28N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK28N65WS1F-ND
Price: 45.5323 RON
Availability: OutOfStock

TK28N65W,S1F
Numărul produsului DigiKey	TK28N65WS1F-ND
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TK28N65W,S1F
Descriere	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 27,6A (Ta) 230W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TK28N65W,S1F Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	27,6A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	110mOhm la 13,8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 1,6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3000 pF @ 300 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	230W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	TK28N65

Preț unitar fără TVA:	37,63000 lei
Preț unitar cu TVA:	45,53230 lei

TK28N65W,S1F