SIHG33N65E-GE3 poate fi achiziționat momentan, dar nu este în mod normal pe stoc.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

APT38N60BC6
Microchip Technology
În stoc: 0
Preț unitar : 28,17756 lei

Similar

FCH104N60F-F085
onsemi
În stoc: 423
Preț unitar : 32,43000 lei
Fișă de date

Similar

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 399
Preț unitar : 25,36000 lei
Fișă de date

Similar

IXTH32N65X
IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 27,49700 lei
Fișă de date

Similar

SPW32N50C3FKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 482
Preț unitar : 41,31000 lei
Fișă de date

Similar

STW33N60M2
STMicroelectronics
În stoc: 745
Preț unitar : 26,66000 lei
Fișă de date

Similar

STW34N65M5
STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 32,99000 lei
Fișă de date

Similar

STW36NM60ND
STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 22,11855 lei
Fișă de date

Similar

TSM60NE069PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
În stoc: 295
Preț unitar : 53,15000 lei
Fișă de date

Similar

TSM60NE084PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
În stoc: 265
Preț unitar : 46,86000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 650 V 32,4A (Tc) 313W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AC
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIHG33N65E-GE3

Numărul produsului DigiKey
SIHG33N65E-GE3-ND
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SIHG33N65E-GE3
Descriere
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 32,4A (Tc) 313W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AC
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay Siliconix
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
32,4A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
105mOhm la 16,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
4040 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
313W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
SIHG33
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Disponibil pentru comandă
Verificați termenul de livrare
Acest produs nu este ținut pe stoc la DigiKey. Timpul de livrare afișat se aplică pentru livrarea de la producător la DigiKey. După primirea produsului, DigiKey va face expedierea pentru a onora comenzile deschise.
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
50014,86906 lei7.434,53 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:14,86906 lei
Preț unitar cu TVA:17,99156 lei