STW36NM60ND este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 44
Preț unitar : 30,00000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 230
Preț unitar : 36,06000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 790
Preț unitar : 33,74000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 98
Preț unitar : 23,84000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 3.889
Preț unitar : 40,45000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 6
Preț unitar : 123,51000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 80,97523 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 232
Preț unitar : 88,39000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 30
Preț unitar : 168,48000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 70,56290 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 45,09323 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 38
Preț unitar : 122,69000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 0,00000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 467
Preț unitar : 30,17000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STW36NM60ND

Numărul produsului DigiKey
497-13888-5-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
STW36NM60ND
Descriere
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
STW36NM60ND Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
110mOhm la 14,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2785 pF @ 50 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
190W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
Automobile
Calificare
AEC-Q101
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.