IXTH32N65X IXYS | Produse cu semiconductori discreți

IXTH32N65X
Numărul produsului DigiKey	IXTH32N65X-ND
Producător	IXYS
Numărul produsului producătorului	IXTH32N65X
Descriere	MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 32A (Tc) 500W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	IXYS
Serie	Ultra X
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	32A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	135mOhm la 16A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	5,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2205 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	500W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247 (IXTH)
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	IXTH32

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Sunt de acord să primesc e-mailuri de marketing de la DigiKey (opțional). Înțeleg că îmi pot retrage consimțământul în orice moment. Vă rugăm să consultați Notificarea noastră de confidențialitate.

Informaţii

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

Contactați-ne

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IXTH32N65X

Informaţii

Ajutor

Contactați-ne

Urmăriți-ne