Name: SIHG33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG33N60E-GE3-ND
Price: 41.0916 RON
Availability: OutOfStock

SIHG33N60E-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHG33N60E-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHG33N60E-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AC
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	33A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	99mOhm la 16,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3508 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	278W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247AC
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	SIHG33

Preț unitar fără TVA:	33,96000 lei
Preț unitar cu TVA:	41,09160 lei

SIHG33N60E-GE3