IXKH35N60C5 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Direct

FCH104N60F
onsemi
În stoc: 713
Preț unitar : 34,73000 lei
Fișă de date

Direct

FCH110N65F-F155
onsemi
În stoc: 460
Preț unitar : 38,09000 lei
Fișă de date

Similar

FCH104N60F-F085
onsemi
În stoc: 423
Preț unitar : 31,24000 lei
Fișă de date

Similar

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 18,63000 lei
Fișă de date

Similar

IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 98
Preț unitar : 23,84000 lei
Fișă de date

Similar

SIHG28N65EF-GE3
Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 13,40540 lei
Fișă de date

Similar

STW33N60DM2
STMicroelectronics
În stoc: 508
Preț unitar : 26,04000 lei
Fișă de date

Similar

STW34NM60N
STMicroelectronics
În stoc: 233
Preț unitar : 46,09000 lei
Fișă de date

Similar

STW36N60M6
STMicroelectronics
În stoc: 579
Preț unitar : 30,12000 lei
Fișă de date

Similar

TK25N60X5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 30
Preț unitar : 26,85000 lei
Fișă de date

Similar

TK28N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 0
Preț unitar : 33,87000 lei
Fișă de date

Similar

TK31N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 3
Preț unitar : 40,41000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 600 V 35A (Tc) – Orificiu străpuns TO-247AD
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXKH35N60C5

Numărul produsului DigiKey
238-IXKH35N60C5-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
IXKH35N60C5
Descriere
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 35A (Tc) – Orificiu străpuns TO-247AD
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
CoolMOS™
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
35A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
100mOhm la 18A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,9V la 1,2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2800 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
–
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
IXKH35
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.