VideoLibrary

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

7/21/2023 3:48:29 PM

Part List

ImagineManufacturer Part NumberDescriereAvailable QuantityPrețVedeți detalii
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-30 - Immediate$96.85Vedeți detalii
650 V 95 A GAN FETTP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET356 - Immediate$96.85Vedeți detalii
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN0 - ImmediateSee Page for PricingVedeți detalii
650 V 25 A GAN FETTP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET545 - Immediate$63.41Vedeți detalii
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN88623 - Immediate$63.41Vedeți detalii
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PSGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmediateSee Page for PricingVedeți detalii
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4WS650 V 34 A GAN FET444 - Immediate$46.73Vedeți detalii
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3TP65H050WSGANFET N-CH 650V 34A TO247-3388 - Immediate$82.32Vedeți detalii
650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET28 - Immediate$88.29Vedeți detalii
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3TP90H050WSGANFET N-CH 900V 34A TO247-30 - Immediate$44.70Vedeți detalii
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-30 - Immediate$101.89Vedeți detalii
GAN FET N-CH 650V TO-220TP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-2201296 - Immediate$20.10Vedeți detalii
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET213 - Immediate$63.10Vedeți detalii
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN1119 - Immediate$8.91Vedeți detalii
GAN FET N-CH 650V PQFNTP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFN2366 - Immediate$22.20Vedeți detalii
650 V 13 A GAN FETTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FET376 - Immediate$25.58Vedeți detalii
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN9 - Immediate$51.52Vedeți detalii
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB0 - ImmediateSee Page for PricingVedeți detalii
EVAL BOARD FOR TP65H035WSTDTTP4000W066C-KITEVAL BOARD FOR TP65H035WS5 - Immediate$6,476.98Vedeți detalii
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmediateSee Page for PricingVedeți detalii

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

Publish Date: 2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

Publish Date: 2023-07-21

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions
Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions

Publish Date: 2023-05-17

Related Product Highlight

SuperGaN® Evaluation Boards and Kits Transphorm’s SuperGaN® evaluation boards and kits deliver an easy-to-use platform to investigate the benefits of GaN with various topologies.
TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET Transphorm’s SuperGaN® FET offers high reliability, high efficiency, and high voltage power conversion in an easy-to-drive JEDEC-qualified device.
TDTTP2500B066B-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN Eval Board Transphorm's TDTTP2500B066B-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN evaluation board is suitable for applications such as datacenter power supplies.

Related Articles and Blogs

Semiconductorii cu bandă interzisă largă asigură eficiența în centrele de date Pentru că centrele de date au cerințe energetice uriașe, sunt necesare soluții de alimentare care pot reduce pierderile de energie, pot crește eficiența și pot îmbunătăți controlul termic.
Semiconductorii cu bandă interzisă largă remodelează lumea transporturilor Întregul sector al transporturilor trece printr-o transformare radicală, cu soluții pentru mașini electrice și hibride și pentru un transport în comun mai curat.
Concepeți o corecție mai eficientă a factorului de putere folosind semiconductoarele de bandă largă și controlul digital Utilizarea controlului digital și a semiconductoarelor de putere de bandă largă pentru conceperea circuitelor de corecție a factorului de putere care respectă în mod eficient reglementările actuale.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.