TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TP65H035G4WSQA
Numărul produsului DigiKey	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Producător	Renesas Electronics Corporation
Numărul produsului producătorului	TP65H035G4WSQA
Descriere	650 V 46.5 GAN FET
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	47,2A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	41mOhm la 30A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,8V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1500 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	187W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247-3
Pachet/cutie	TO-247-3

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 30

Verificați stoc primit suplimentar

Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului.

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Tub

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1	87,72000 lei	87,72 lei
30	55,15833 lei	1.654,75 lei

Pachet standard de la producător

Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.