TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TP90H050WS
Numărul produsului DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Producător	Renesas Electronics Corporation
Numărul produsului producătorului	TP90H050WS
Descriere	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (Cascode FET nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	900 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	34A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	63mOhm la 22A, Ieșire 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,4V la 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	980 pF @ 600 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	119W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247-3
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	TP90H050