TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TP65H300G4LSG-TR
Numărul produsului DigiKey	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Bandă și mosor (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Renesas Electronics Corporation
Numărul produsului producătorului	TP65H300G4LSG-TR
Descriere	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 6,5A (Tc) 21W (Tc) Montare pe suprafață 3-PQFN (8x8)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TP65H300G4LSG-TR Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Digi-Key nu mai oferă acest produs
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	6,5A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	8V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	312mOhm la 5A, Ieșire 8V
Vgs(th) (Max) la Id	2,6V la 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±18V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	760 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	21W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	3-PQFN (8x8)
Pachet/cutie	3-PowerDFN
Număr produs de bază	TP65H300