VideoLibrary

Paralleling GaN FETs

Paralleling GaN FETs from Nexperia.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

ImagineManufacturer Part NumberDescriereAvailable QuantityPrețVedeți detalii
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$49.28Vedeți detalii
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$59.86Vedeți detalii
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$47.73Vedeți detalii
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immediate$60.81Vedeți detalii
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$60.81Vedeți detalii

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Publish Date: 2025-04-07

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Semiconductorii cu bandă interzisă largă asigură eficiența în centrele de date Pentru că centrele de date au cerințe energetice uriașe, sunt necesare soluții de alimentare care pot reduce pierderile de energie, pot crește eficiența și pot îmbunătăți controlul termic.
Semiconductorii cu bandă interzisă largă remodelează lumea transporturilor Întregul sector al transporturilor trece printr-o transformare radicală, cu soluții pentru mașini electrice și hibride și pentru un transport în comun mai curat.
De ce și cum să aplicăm tranzistoarele cu efect de câmp GaN pentru aplicații de putere în comutație eficiente, de tensiune mai mare Îmbunătățiți eficiența și densitatea de putere în sistemele de alimentare în comutație de tensiune mai mare prin înțelegerea principiilor și aplicarea corectă a FET-urilor GaN.