Nexperia

GaN FETs

Nexperia's GaN FETs increase performance, efficiency, and reliability

Image of Nexperia's GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost. Efficient power use is a key industrial challenge and a driver for innovation. Societal pressure and legislation are demanding increasing efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include the trend towards automotive electrification and the high-voltage communications and industrial infrastructure sectors.

Features
  • Easy to drive with 4 V threshold voltage
  • Excellent body diode (low VF) for reduced losses in reverse conduction mode
  • Ultra-low QRR for fast switching
  • 800 V transient overvoltage capability
  • Robust gate oxide (±20 V capability)
Applications
  • Server and telecom power supplies
  • Battery storage and UPS
  • Industrial automation
  • On-board-chargers (OBC)
  • DC/DC power conversion
  • Traction inverters

GaN FETs

ImagineManufacturer Part NumberDescriereTensiune de la consumator la sursă (Vdss)Curent - Consum continuu (Id) la 25°CTensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)Available QuantityPrețVedeți detalii
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3650 V34,5A (Tc)10V0 - Immediate$59.91Vedeți detalii
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247650 V47,2A (Tc)10V284 - Immediate$75.82Vedeți detalii
Published: 2020-09-30

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.

Related Articles and Blogs

Semiconductorii cu bandă interzisă largă asigură eficiența în centrele de date Pentru că centrele de date au cerințe energetice uriașe, sunt necesare soluții de alimentare care pot reduce pierderile de energie, pot crește eficiența și pot îmbunătăți controlul termic.
Semiconductorii cu bandă interzisă largă remodelează lumea transporturilor Întregul sector al transporturilor trece printr-o transformare radicală, cu soluții pentru mașini electrice și hibride și pentru un transport în comun mai curat.
De ce și cum să aplicăm tranzistoarele cu efect de câmp GaN pentru aplicații de putere în comutație eficiente, de tensiune mai mare Îmbunătățiți eficiența și densitatea de putere în sistemele de alimentare în comutație de tensiune mai mare prin înțelegerea principiilor și aplicarea corectă a FET-urilor GaN.