Nexperia

Cascode GaN FETs

Nexperia GaN FETs offer performance, efficiency, and reliability of power systems

Image of Nexperia’s Cascode GaN FETsNexperia cascode GaN FETs offer high power density, performance, and switching frequency. The very high electron mobility of GaN enables the creation of devices with low on-resistance and exceptionally high switching frequency capability, which are vital in next-generation power systems, such as Industry 4.0 and renewable energy applications. The unique cascode GaN FET solution facilitates easy driving of devices using well-known Si MOSFET gate drivers. They deliver unmatched high junction temperature [Tj (max) = +175°C], design freedom, and improved reliability of power systems.

Cascode GaN FETs

ImagineManufacturer Part NumberDescriereAvailable QuantityPrețVedeți detalii
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247284 - Immediate$75.82Vedeți detalii
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$59.91Vedeți detalii
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (847 - Immediate$77.00Vedeți detalii
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247127 - Immediate$60.43Vedeți detalii
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immediate$51.88Vedeți detalii
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS717 - Immediate$77.00Vedeți detalii
Published: 2024-09-04

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Semiconductorii cu bandă interzisă largă asigură eficiența în centrele de date Pentru că centrele de date au cerințe energetice uriașe, sunt necesare soluții de alimentare care pot reduce pierderile de energie, pot crește eficiența și pot îmbunătăți controlul termic.
Semiconductorii cu bandă interzisă largă remodelează lumea transporturilor Întregul sector al transporturilor trece printr-o transformare radicală, cu soluții pentru mașini electrice și hibride și pentru un transport în comun mai curat.
De ce și cum să aplicăm tranzistoarele cu efect de câmp GaN pentru aplicații de putere în comutație eficiente, de tensiune mai mare Îmbunătățiți eficiența și densitatea de putere în sistemele de alimentare în comutație de tensiune mai mare prin înțelegerea principiilor și aplicarea corectă a FET-urilor GaN.