Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 19.36 RON
Availability: InStock

Canal-N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHTFN-9-1

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Descriere	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHTFN-9-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 82 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±16V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5453 pF @ 12 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 25 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-WHTFN-9-1
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,58mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie 9-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 250µA