Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 17.9927 RON
Availability: OutOfStock

Canal-N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montare pe suprafață PG-TTFN-9-1

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IQE006NE2LM5CGATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQE006NE2LM5CGATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montare pe suprafață PG-TTFN-9-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±16V
Prod. Infineon Technologies	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5453 pF @ 12 V
Serie OptiMOS™ 5	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Disipare putere (Max) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tip FET Canal-N	Grad –
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Calificare –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 25 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PG-TTFN-9-1
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,65mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 250µA	Număr produs de bază IQE006
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 82.1 nC @ 10 V