Name: IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND
Price: 15.4033 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Descriere	TRENCH <= 40V
Termen de livrare standard al producătorului	39 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHTFN-9
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	15 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	58A (Ta), 379A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 7V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,45mOhm la 30A, 7V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 432µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (Max)	±7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	6240 pF @ 7.5 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-WHTFN-9
Pachet/cutie	9-PowerWDFN