Canal-N 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB020N10N5ATMA1

Numărul produsului DigiKey
IPB020N10N5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
IPB020N10N5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
IPB020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPB020N10N5ATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului
21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
2mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,8V la 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
15600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
375W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet/cutie
TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază
IPB020
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 4.148
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®
Cantitate Preț unitar Ext Price
128,02000 lei28,02 lei
1018,76300 lei187,63 lei
10013,50910 lei1.350,91 lei
50012,09878 lei6.049,39 lei
* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.
Bandă și mosor (TR)
Cantitate Preț unitar Ext Price
1.0009,88462 lei9.884,62 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:28,02000 lei
Preț unitar cu TVA:33,90420 lei
Produs asociatVizualizare toate
7 Articole
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

2,80000 lei
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,27000 lei
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,08000 lei
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,57000 lei
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,26000 lei
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

8,82000 lei
2EDS8265HXUMA1

2EDS8265HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

16,53000 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
9 Articole
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3

Infineon Technologies

29,13000 lei
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3

Diodes Incorporated

3,74000 lei
SUM70030E-GE3

SUM70030E-GE3

MOSFET N-CH 100V 150A TO263

Vishay Siliconix

22,16000 lei
IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

25,00000 lei
NTB004N10G

NTB004N10G

MOSFET N-CH 100V 201A TO263

onsemi

28,14000 lei
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

25,00000 lei
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Infineon Technologies

29,52000 lei
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Infineon Technologies

24,44000 lei
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Infineon Technologies

12,78000 lei