Name: BSC027N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC027N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 28.2535 RON
Availability: InStock

BSC027N10NS5ATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSC027N10NS5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSC027N10NS5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSC027N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC027N10NS5ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 23A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSON-8-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC027N10NS5ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,7mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,8V la 146µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	8200 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSON-8-3
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSC027

Preț unitar fără TVA:	23,35000 lei
Preț unitar cu TVA:	28,25350 lei

BSC027N10NS5ATMA1