Name: IPB020N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB020N08N5ATMA1TR-ND
Price: 28.9553 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB020N08N5ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB020N08N5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB020N08N5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB020N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB020N08N5ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB020N08N5ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 166 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 12100 pF @ 40 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 300W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 120A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2mOhm la 100A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 3,8V la 208µA	Număr produs de bază IPB020