Name: IMSQ120R012M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND
Price: 265.3651 RON
Availability: InStock

Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-16-221

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMSQ120R012M2HHXUMA1
Descriere	SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Termen de livrare standard al producătorului	54 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-16-221
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Vgs(th) (Max) la Id 5,1V la 17,8mA
Producător Infineon Technologies	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 109nC la 0V
Serie CoolSiC™ G2	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4050pF la 800V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Putere - Max 758W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Configurație Canal 2 N (Semi-punte)	Calificare –
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200V (1,2kV)	Pachet/cutie 24-BSOP (0,606", 15,40mm lățime), 16 conductori, plăcuță expusă
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 121A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PG-HDSOP-16-221
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 12mOhm la 57A, 18V