Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 157.6751 RON
Availability: InStock

Canal-N 1200 V 195A (Tc) 880W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMCQ120R010M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMCQ120R010M2HXTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP
Termen de livrare standard al producătorului	49 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 195A (Tc) 880W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMCQ120R010M2HXTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 150.1 nC @ 18 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) +23V, -7V
Serie CoolSiC™ G2	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6320 pF @ 800 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 880W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 195A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 18V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HDSOP-22
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 10mOhm la 69A, 18V	Pachet/cutie Modul 22-PowerBSOP
Vgs(th) (Max) la Id 5,1V la 21,7mA