Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 211.1329 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AIMBG120R010M1XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	AIMBG120R010M1XTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	AIMBG120R010M1XTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	205A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	Ieșire 18V, Ieșire 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	11,3mOhm la 93A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id	5,1V la 30mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	178 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	5703 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	882W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	AIMBG120