Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 196.02 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AIMBG120R010M1XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	AIMBG120R010M1XTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	AIMBG120R010M1XTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 178 nC @ 20 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) +25V, -10V
Serie CoolSiC™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5703 pF @ 800 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 882W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 205A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) Ieșire 18V, Ieșire 20V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-7
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 11,3mOhm la 93A, 20V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 5,1V la 30mA	Număr produs de bază AIMBG120