Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 115.6881 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Descriere	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-16-221
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Configurație	Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	83A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	26mOhm la 27A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,1V la 8,6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	54nC la 0V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1990pF la 800V
Putere - Max	410W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	24-BSOP (0,606", 15,40mm lățime), 16 conductori, plăcuță expusă
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HDSOP-16-221