IMZC120R022M2HXKSA1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R017M2HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMZC120R017M2HXKSA1
Descriere
SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Termen de livrare standard al producătorului
26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 97A (Tc) 382W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-17
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IMZC120R017M2HXKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
17mOhm la 40A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5,1V la 12,7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
89 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2910 pF @ 800 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
382W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-17
Pachet/cutie
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

În stoc: 7
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
178,00000 lei78,00 lei
3048,67067 lei1.460,12 lei
12044,41533 lei5.329,84 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:78,00000 lei
Preț unitar cu TVA:94,38000 lei