Canal-N 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-17
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMZC120R022M2HXKSA1
Descriere
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Termen de livrare standard al producătorului
69 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-17
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IMZC120R022M2HXKSA1 Modele
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Categorie
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
71 nC @ 18 V
Prod.
Vgs (Max)
+23V, -7V
Serie
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2330 pF @ 800 V
Ambalaj
Tub
Caracteristică FET
Stare piesă
Activ
Disipare putere (Max)
329W (Tc)
Tip FET
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie
Grad
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Calificare
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tip montare
Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 18V
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-17
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
22mOhm la 32A, 18V
Pachet/cutie
Vgs(th) (Max) la Id
5,1V la 10,1mA
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 871
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
187,31000 lei87,31 lei
3053,82767 lei1.614,83 lei
12046,49683 lei5.579,62 lei
51041,13192 lei20.977,28 lei
1.02039,17659 lei39.960,12 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:87,31000 lei
Preț unitar cu TVA:105,64510 lei