IMZC120R022M2HXKSA1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R078M2HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMZC120R078M2HXKSA1
Descriere
SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Termen de livrare standard al producătorului
26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 28A (Tc) 143W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-17
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IMZC120R078M2HXKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
78mOhm la 9A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5,1V la 2,8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
700 pF @ 800 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
143W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-17
Pachet/cutie
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

În stoc: 90
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
135,10000 lei35,10 lei
3020,43100 lei612,93 lei
12017,21292 lei2.065,55 lei
51015,68241 lei7.998,03 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:35,10000 lei
Preț unitar cu TVA:42,47100 lei