IMZC120R022M2HXKSA1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R026M2HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMZC120R026M2HXKSA1
Descriere
SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Termen de livrare standard al producătorului
26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 69A (Tc) 289W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-17
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IMZC120R026M2HXKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
25mOhm la 27A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5,1V la 8,6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1990 pF @ 800 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
289W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-17
Pachet/cutie
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 240
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
158,08000 lei58,08 lei
3035,30867 lei1.059,26 lei
12030,35325 lei3.642,39 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:58,08000 lei
Preț unitar cu TVA:70,27680 lei