Name: SUM110N10-09-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110N10-09-E3TR-ND
Price: 32.8394 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SUM110N10-09-E3
Numărul produsului DigiKey	SUM110N10-09-E3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SUM110N10-09-E3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SUM110N10-09-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SUM110N10-09-E3
Descriere	MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	38 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 110A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 160 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6700 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,75W (Ta), 375W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 110A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 9,5mOhm la 30A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază SUM110