Name: SQM10250E_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM10250E_GE3TR-ND
Price: 23.7886 RON
Availability: InStock

SQM10250E_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQM10250E_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQM10250E_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQM10250E_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQM10250E_GE3
Descriere	MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	250 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	65A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	7,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	30mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4050 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	375W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	SQM10250

Preț unitar fără TVA:	19,66000 lei
Preț unitar cu TVA:	23,78860 lei

SQM10250E_GE3