Name: SQD50N06-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N06-09L_GE3TR-ND
Price: 30.8066 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQD50N06-09L_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQD50N06-09L_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQD50N06-09L_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQD50N06-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQD50N06-09L_GE3
Descriere	MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQD50N06-09L_GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	50A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	9mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3065 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	136W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-252AA
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	SQD50