SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix | FET-uri, MOSFET-uri individuale

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQ2308CES-T1_BE3
Numărul produsului DigiKey	742-SQ2308CES-T1_BE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SQ2308CES-T1_BE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SQ2308CES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQ2308CES-T1_BE3
Descriere	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 2,3A (Tc) 2W (Tc) Montare pe suprafață SOT-23-3 (TO-236)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQ2308CES-T1_BE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 5.3 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 205 pF @ 30 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 2W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 2,3A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor SOT-23-3 (TO-236)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 150mOhm la 2,3A, 10V	Pachet/cutie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA	Număr produs de bază SQ2308

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 16.257

Verificați stoc primit suplimentar

Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului.

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT)

Bandă și mosor (TR)