Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 12.342 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIZF4800LDT-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIZF4800LDT-T1-GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Termen de livrare standard al producătorului	29 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 80V 10A (Ta), 36A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAIR® 3x3FS
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIZF4800LDT-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (Semi-punte)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	10A (Ta), 36A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	19mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	23nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	950pF la 40V
Putere - Max	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	12-PowerPair™
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAIR® 3x3FS