Name: SISA01DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA01DN-T1-GE3TR-ND
Price: 7.9134 RON
Availability: OutOfStock

SISA01DN-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SISA01DN-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SISA01DN-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SISA01DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SISA01DN-T1-GE3
Descriere	MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Termen de livrare standard al producătorului	55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 22,4A (Ta), 60A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SISA01DN-T1-GE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	22,4A (Ta), 60A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,9mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+16V, -20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3490 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® 1212-8
Pachet/cutie	PowerPAK® 1212-8
Număr produs de bază	SISA01

Preț unitar fără TVA:	6,54000 lei
Preț unitar cu TVA:	7,91340 lei

SISA01DN-T1-GE3