Name: SIR873DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR873DP-T1-GE3TR-ND
Price: 13.2132 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SIR873DP-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIR873DP-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SIR873DP-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SIR873DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIR873DP-T1-GE3
Descriere	MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	42 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 150 V 37A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIR873DP-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 48 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET® Gen IV	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1805 pF @ 75 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 104W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 150 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 37A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 47,5mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază SIR873