Name: SI4936CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4936CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 5.2756 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SI4936CDY-T1-GE3
Numărul produsului DigiKey	SI4936CDY-T1-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SI4936CDY-T1-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SI4936CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SI4936CDY-T1-GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 30V 5,8A 2,3W Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SI4936CDY-T1-GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	Poartă logică
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	5,8A
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	40mOhm la 5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	9nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	325pF la 15V
Putere - Max	2,3W
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Pachet dispozitiv furnizor	8-SOIC
Număr produs de bază	SI4936

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 3.958

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)