Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 20.9451 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF5210STRLPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF5210STRLPBF
Descriere	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 38A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRF5210STRLPBF Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	38A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	60mOhm la 38A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2780 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IRF5210