Name: TW027U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027U65CRQTR-ND
Price: 223.3418 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TW027U65C,RQ
Numărul produsului DigiKey	264-TW027U65CRQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TW027U65CRQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TW027U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TW027U65C,RQ
Descriere	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 57A (Tc) 156W (Tc) Montare pe suprafață TOLL
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 65 nC @ 18 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) +25V, -10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2288 pF @ 400 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 156W (Tc)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Temperatură de funcționare 175°C
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 57A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 18V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 40mOhm la 29A, 18V	Pachet dispozitiv furnizor TOLL
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 3mA	Pachet/cutie 8-PowerSFN