Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 16.1051 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPM1R908QM,LQ
Numărul produsului DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPM1R908QM,LQ
Descriere	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 108 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 10500 pF @ 40 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 250W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 26A (Ta), 238A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,9mOhm la 70A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 1,2mA