Name: IMT65R026M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R026M2HXUMA1TR-ND
Price: 63.2588 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMT65R026M2HXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMT65R026M2HXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMT65R026M2HXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMT65R026M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMT65R026M2HXUMA1
Descriere	SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 81A (Tc) 365W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 42 nC @ 18 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) +23V, -7V
Serie CoolSiC™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1499 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 365W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 81A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 24mOhm la 34,5A, 20V	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 5,6V la 7mA