Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 2.9403 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM3K357R,LF
Numărul produsului DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Bandă și mosor (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM3K357R,LF
Descriere	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Montare pe suprafață SOT-23F
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SSM3K357R,LF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 1.5 nC @ 5 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±12V
Serie π-MOSV	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 60 pF @ 12 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 1W (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 150°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 650mA (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 3V, 5V	Pachet dispozitiv furnizor SOT-23F
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,8Ohm la 150mA, 5V	Pachet/cutie SOT-23-3, Derivații plate
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 1mA	Număr produs de bază SSM3K357

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 11.178

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)