Name: SSM3J135TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J135TULFTR-ND
Price: 2.8314 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM3J135TU,LF
Numărul produsului DigiKey	SSM3J135TULFTR-ND - Bandă și mosor (TR) SSM3J135TULFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SSM3J135TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM3J135TU,LF
Descriere	MOSFET P-CH 20V 3A UFM
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Montare pe suprafață UFM
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SSM3J135TU,LF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±8V
Serie U-MOSVI	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 270 pF @ 10 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 500mW (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare 150°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 1,5V, 4,5V	Pachet dispozitiv furnizor UFM
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 103mOhm la 1A, 4,5V	Pachet/cutie 3-SMD, Derivații plate
Vgs(th) (Max) la Id 1V la 1mA	Număr produs de bază SSM3J135

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 3.469

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)